|
0805 6800ПФ X7R 50В 10% CL21B682KBANNNC
|
Samsung
|
76
|
0,07
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 680ПФ X7R 50В 10% CL21B681KBANNNC
|
Samsung
|
2710
|
0,05
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 0,068М X7R 50В 10% CL21B683KBANNNC
|
Samsung
|
2580
|
0,09
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 6800пф X7R 50в 10% CL21B682KBANNNC
|
Samsung
|
76
|
0,03
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 0,068м X7R 50в 10% CL21B683KBANNNC
|
Samsung
|
2580
|
0,07
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 680пф X7R 50в 10% CL21B681KBANNNC
|
Samsung
|
2710
|
0,03
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
CL21-X7R-0,068 мкФ-50 В-10% (chip 0805) Samsung
|
конденсатор
|
2900
|
0,05
|
07.09.2023 15:19:05
|
|
|
|
0805 0,68М X7R 16В 10% CL21B684KOFNNNE
|
|
675
|
0,25
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
0805 0,068М X7R 50В 10% CL21B333KBFNNNE
|
|
900
|
0,10
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
0805 0,068М X7R 50В 10% CL21B683KBANNNC
|
|
1935
|
0,14
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
0805 6800ПФ X7R 50В 10% CL21B682KBANNNC
|
|
57
|
0,06
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
0805 6800ПФ X7R 50В 10% CL21B682KBANNNC
|
|
2700
|
0,06
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
0805 680ПФ X7R 50В 10% CL21B681KBANNNC
|
|
2198
|
0,06
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
CL 0805 0,68мкГн (10%) чип индуктивность
|
4000 Faithful Link
|
6000
|
0,08
|
29.09.2021 16:37:26
|
|
|
|
CL 0805 6,8мкГн (10%) чип индуктивность
|
3000 Faithful Link
|
35000
|
0,12
|
29.09.2021 16:37:26
|
|
|
|
680пф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B681KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B681KBANNNС Аналог CERCAP 680p/50v 0805 X7R
|
452000
|
0,02
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
0,068мкф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B683KBFNNNG
|
н/у 3000 SAMSUNG CL21B683KBFNNNG Аналог CERCAP 0.068/50v 0805 X7R
|
21000
|
0,04
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
0,68мкф X7R 16в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B684KOFNNNE
|
н/у 2000 SAMSUNG CL21B684KOFNNNE Аналог CERCAP 0.68/16v 0805 X7R
|
8000
|
0,06
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
